
| همکاری سامسونگ و سان میکروسیستمز برای ساخت حافظههای فلش جدید |
| ایتنا , شنبه 29 تير 1387 - ساعت 22:59 |
در اطلاعیه مشترکی که از جانب این دو شرکت منتشر شده آمده است حافظههای NAND جدید که از نوع SLC میباشد از نظر تعداد دفعات نوشتن و خواندن، پنج برابر بیشتر از SLCهای استاندارد عمر میکنند. |
سامسونگ با همکاری سان میکروسیستمز کار بر روی ساخت نوعی سلول تک سطحی فلش مموری NAND مخصوص استفاده در درایوهای حالت جامد را آغاز نمود.
|
| روزنامهء هموطن سلام http://www.hamvatansalam.com |
| آدرس خبر : http://www.hamvatansalam.com/news108395.html |