محققين شرکت IBM ادعا کردند يک مانع اساسي بر سر ساخت ترانزيستورهايي در مقياس نانو را از سر راه خود برداشتند.
به گزارش سرويس دانش و فناوري برنا، اين محققين موفق شدند يکي از مشکلات پيچيده‌اي را که مانع از ساخت ترانزيستورهايي با استفاده از قطعات کوچک گرافيت مي‌شده از پيش پاي خود بردارند.
دانشمندان تاکنون تلاش مي‌کردند مدارهايي را با استفاده از گرافين يعني ساختاري شبکه‌اي و دوبعدي از اتم‌هاي کربن ايجاد کنند.
خواص الکترونيکي گرافين اين ماده را به جانشيني ايده‌آل براي ترانزيستورهاي سيليکوني که از حجم و اندازه‌اي به مراتب بزرگ‌تر برخوردار هستند مبدل ساخته است.
با اين حال بزرگ‌ترين مشکلي که محففين در کار با گرافين با آن مواجه بودند اين مطلب است که اين ماده بسيار مستعد ايجاد تداخلات فرکانسي مي‌باشد.
سيگنال‌هاي الکتريکي که در اطراف ساختمان اتم‌ها ايجاد مي‌شود کارکرد عادي آنرا مختل نموده و سبب بروز حالتي مي‌شود که به آن «قانون هوگ» مي‌گويند.
دانشمندان IBM اين مشکل را با افزودن لايه دومي از گرافين به ترانزيستور مرتفع نمودند.
به کارگيري لايه دوم موجب خواهد شد تا اثر تداخلي تا اندازه‌اي کاهش يابد که ترانزيستور بتواند عملکرد عادي خود را بازيابد.